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背刺三星 臺(tái)積電繞過(guò)2nm：直奔1.4nm去了

2022-05-23 10:01:17來(lái)源：快科技 閱讀量：116 評(píng)論

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導(dǎo)讀：臺(tái)積電的3nm依然延續(xù)的是FinFET(鰭式場(chǎng)效應(yīng))晶體管結(jié)構(gòu)，而非三星那套難度更高的GAA晶體管。然而，臺(tái)積電明顯道行更深，知道當(dāng)前制程節(jié)點(diǎn)命名混亂，誰(shuí)的良率高顯然更能占得先機(jī)。

　　臺(tái)積電已經(jīng)多次明確，3nm將在下半年規(guī)模投產(chǎn)。
 
　　不過(guò)，臺(tái)積電的3nm依然延續(xù)的是FinFET(鰭式場(chǎng)效應(yīng))晶體管結(jié)構(gòu)，而非三星那套難度更高的GAA晶體管。然而，臺(tái)積電明顯道行更深，知道當(dāng)前制程節(jié)點(diǎn)命名混亂，誰(shuí)的良率高顯然更能占得先機(jī)。
 
　　而接下來(lái)，臺(tái)積電似乎不打算糊弄了，甚至要繞過(guò)2nm，直奔1.4mm。
 
　　BK報(bào)道稱，臺(tái)積電3nm研發(fā)團(tuán)隊(duì)將在6月份全面轉(zhuǎn)投1.4nm節(jié)點(diǎn)的開(kāi)發(fā)工作。
 
　　對(duì)手三星在去年的代工會(huì)議上曾預(yù)期，2025年量產(chǎn)2nm，沒(méi)想到又一次被臺(tái)積電“背刺”了。
 
　　至于同樣雄心勃勃的Intel，則打算2024年下半年生產(chǎn)1.8nm工藝產(chǎn)品。一場(chǎng)關(guān)乎摩爾定律榮耀的制程“軍備競(jìng)賽”，再度拉開(kāi)序幕了。
 
　　原標(biāo)題：背刺三星 臺(tái)積電繞過(guò)2nm：直奔1.4nm去了
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