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第三代半導體市場規(guī)模百億 諸多應用領(lǐng)域加速爆發(fā)

2022-06-09 13:54:51來源:OFweek電子工程網(wǎng) 閱讀量:154 評論

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導讀:第三代半導體襯底市場規(guī)模從7.86億元增長至15.21億元,年復合增速為24.61%,半導體器件市場規(guī)模從86.29億元增長至608.21億元,年復合增速為91.73%。

  目前來看在不同的細分市場,第三代半導體跟硅基器件是一個很好的互補,也是價錢vs性能的一個平衡。隨著第三代半導體的成熟以及成本的降低,最終會慢慢取代硅基產(chǎn)品成為主流方案。
 
  第三代半導體產(chǎn)業(yè)究竟掀起了多大的風口?根據(jù)《2020“新基建”風口下第三代半導體應用發(fā)展與投資價值白皮書》內(nèi)容:2019年我國第三代半導體市場規(guī)模為94.15億元,預計2019-2022年將保持85%以上平均增長速度,到2022年市場規(guī)模將達到623.42億元。
 
  其中,第三代半導體襯底市場規(guī)模從7.86億元增長至15.21億元,年復合增速為24.61%,半導體器件市場規(guī)模從86.29億元增長至608.21億元,年復合增速為91.73%。
 
  得益于第三代半導體材料的優(yōu)良特性,它在光電子、電力電子、通訊射頻等領(lǐng)域尤為適用。具體來看:
 
  光電子器件包括發(fā)光二極管、激光器、探測器、光子集成電路等,多用于5G通信領(lǐng)域,場景包括半導體照明、智能照明、光纖通信、光無線通信、激光顯示、高密度存儲、光復印打印、紫外預警等;
 
  電力電子器件包括碳化硅器件、氮化鎵器件,多用于新能源領(lǐng)域,場景包括消費電子、新能源汽車、工業(yè)、UPS、光伏逆變器等;
 
  微波射頻器件包括HEMT(高電子遷移率晶體管)、MMIC(單片微波集成電路)等,同樣也是用在5G通信領(lǐng)域,不過場景則更加高端,包括通訊基站及終端、衛(wèi)星通訊、軍用雷達等。
 
  現(xiàn)階段,歐美日韓等國第三代半導體企業(yè)已形成規(guī)模化優(yōu)勢,占據(jù)全球市場絕大多數(shù)市場份額。我國高度重視第三代半導體發(fā)展,在研發(fā)、產(chǎn)業(yè)化方面出臺了一系列支持政策。國家科技部、工信部等先后開展了“戰(zhàn)略性第三代半導體材料項目部署”等十余個專項,大力支持第三代半導體技術(shù)和產(chǎn)業(yè)發(fā)展。
 
  早在2014年,工信部發(fā)布的《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進綱要》提出設立國家產(chǎn)業(yè)投資基金,重點支持集成電路等產(chǎn)業(yè)發(fā)展,促進工業(yè)轉(zhuǎn)型升級,同時鼓勵社會各類風險投資和股權(quán)投資基金進入集成電路領(lǐng)域;在去年全國人大發(fā)布《中華人民共和國國民經(jīng)濟和社會發(fā)展第十四個五年規(guī)劃和2035年遠景目標綱要》中,進一步強調(diào)培育先進制造業(yè)集群,推動集成電路、航空航天等產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展。瞄準人工智能、量子信息、集成電路等前沿領(lǐng)域,實施一批具有前瞻性、戰(zhàn)略性的國家重大科技項目。
 
  具體來看,第三代半導體當前主要應用領(lǐng)域有新能源汽車、光伏、軌道交通、智能電網(wǎng)。隨著我國對新型基礎(chǔ)建設的布局展開和“雙碳”目標的提出,相信第三代半導體的應用領(lǐng)域進一步擴大,作用也愈發(fā)凸顯。
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