ESD61002B深圳靜電放電發(fā)生器技術(shù)特點(diǎn)：
◆符合 IEC61000-4-2 和 GB/T17626.2 標(biāo)準(zhǔn)的要求；
◆液晶顯示，智能控制
◆部分關(guān)鍵元器件采用*產(chǎn)品，可靠、耐用。
◆設(shè)備小巧輕便，易于操作
◆內(nèi)置靜電放電標(biāo)準(zhǔn)四等級(jí)參數(shù)
◆使用程控高壓電源，可靠性好
◆無(wú)論是接觸放電還是空氣放電，都可以持續(xù)在高電壓工作
◆使用簡(jiǎn)單,無(wú)需注意操作順序（有軟件保護(hù)）
◆可以方便更換阻容器件,以滿(mǎn)足不同標(biāo)準(zhǔn)的試驗(yàn)要求
◆可以根據(jù)國(guó)標(biāo)標(biāo)準(zhǔn)變化，在原來(lái)設(shè)備上輕易升級(jí)
ESD61002B深圳靜電放電發(fā)生器主要技術(shù)參數(shù)
參數(shù) | ESD61002B |
輸出電壓 | 0.2-± 30kV ± 5% |
輸出電壓極性 | 正 / 負(fù) |
放電電容 | 150pF |
放電電阻 | 330 Ω |
放電電流上升時(shí)間 | 0.7 ～ 1ns |
工作形式 | 放電時(shí)間間隔可以設(shè)置在 0.05 ～ 99.99s 之間，可滿(mǎn)足各種操作方式，如 20PPS 放電； 設(shè)置值小于 0.05s 時(shí)，是單次放電。 |
放電次數(shù)設(shè)定 | 1 ～ 9999 或無(wú)限次 |
放電形式 | 接觸放電 |
空氣放電 | |
放電次數(shù) | 可預(yù)設(shè)置 1-9999 次或無(wú)限次 |
設(shè)備工作電源 | AC220V ± 10% 50Hz |
環(huán)境溫度 | 15 ℃ -35 ℃ |
可選附件：標(biāo)準(zhǔn)靜電放電試驗(yàn)桌
試驗(yàn)臺(tái)是為靜電放電試驗(yàn)而專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)的試驗(yàn)裝置，符合IEC61000-4-2和GB/T17626.2標(biāo)準(zhǔn)，也可以用于脈沖群和衰減振蕩波的抗擾度試驗(yàn)。
1.木制試驗(yàn)臺(tái) 長(zhǎng)1.6m×寬0.8m×高0.8m |
2.參考接地板 |
3.水平耦合板 材料:金屬鋁.長(zhǎng)1.6m×寬0.8m;厚1mm |
4.絕緣墊 厚度小于0.5mm |
5.垂直耦合板 材料:金屬鋁.長(zhǎng)0.5m×寬0.5m;厚2mm |
6.電阻線(xiàn) 2*470kΩ;兩根導(dǎo)線(xiàn),長(zhǎng)2.0m和1.2m |
靜電放電模型
一般工業(yè)界將組件的ESD測(cè)試分類(lèi)為人體放電模型(Human Body Model, HBM)，機(jī)器放電模型(Machine Model, MM)及組件充電模型(Charged Device Model, CDM)，而組件充電模型又可分為socketed和non-socketed兩種測(cè)試方法。
HBM
人體放電模型是仿真人體因走動(dòng)或其它因素而在人體上累積靜電后，再去碰觸到IC，人體上的靜電便會(huì)經(jīng)由碰觸的腳位而進(jìn)入IC內(nèi)，若IC有一端接地而形成放電路徑時(shí)，便會(huì)經(jīng)由接地腳位放電。此放電的過(guò)程會(huì)在短短數(shù)百毫微秒(ns)的時(shí)間內(nèi)產(chǎn)生數(shù)安培的瞬間放電電流，進(jìn)而將IC內(nèi)的電路燒毀。對(duì)一般組件可耐受的HBM 2 kV來(lái)說(shuō)，在2~10 ns的時(shí)間內(nèi)，瞬間電流峰值可達(dá)1.33 A。
MM
機(jī)器放電模型則是70年代由日本人根據(jù)HBM的嚴(yán)重狀況所發(fā)展出來(lái)。機(jī)器放電模式是仿真設(shè)備機(jī)器(例如機(jī)械手臂、測(cè)試夾具、手工具等)本身累積了靜電，當(dāng)此機(jī)器碰觸IC時(shí)，靜電便對(duì)該IC放電。雖然MM與HBM的放電行為模式相類(lèi)似，但當(dāng)MM發(fā)生時(shí)皆為金屬對(duì)金屬的接觸，因此接觸電阻微乎其微，而且一般機(jī)器設(shè)備的電容皆遠(yuǎn)大于人體，因此可以?xún)?chǔ)存更多的靜電荷，所以不但造成放電的速度很快，放電電流也較HBM大了數(shù)倍，在幾十毫微秒之內(nèi)會(huì)有數(shù)安培的瞬間放電電流產(chǎn)生，因此機(jī)器放電模型對(duì)IC造成的破壞更大。而且由于電感效應(yīng)的影響，MM放電時(shí)將以正負(fù)電流振蕩的型式影響產(chǎn)品，因此造成的破壞將更加嚴(yán)重。
CDM
組件充電模型是指IC先因磨擦或感應(yīng)等因素而在IC內(nèi)部累積了靜電，但在靜電慢慢累積的過(guò)程中IC并未被損傷。此帶有靜電的IC在處理過(guò)程中，當(dāng)其任一接腳碰觸到接地導(dǎo)體時(shí)，IC內(nèi)部的靜電便會(huì)經(jīng)由接腳流出而造成放電現(xiàn)象。此種模型的放電時(shí)間更短，僅約幾個(gè)毫微秒。且因?yàn)?/span>IC內(nèi)部累積的靜電會(huì)因?qū)Φ氐牡刃щ娙葜刀儯刃щ娙葜涤趾?/span>IC擺放的角度與位置以及IC所用的包裝型式有關(guān)，所以放電現(xiàn)象更難真實(shí)模擬。關(guān)于此放電模型的工業(yè)用測(cè)試機(jī)臺(tái)有分為轉(zhuǎn)接座式(socketed)與非轉(zhuǎn)接座式(non-socketed)兩種。目前socketed CDM測(cè)試方法尚無(wú)正式之標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范文件，而non-socketed CDM主要的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范有ESD STM5.3.1-1999及EIA/JESD22-C101-A: 2000兩種[3], [4]
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