技術(shù)規(guī)格
| 擊穿電壓Vce Breakdown Voltage Vce | 180V |
| 集電極電流 Maximum Collector Current | 17A |
| 晶體管增益hFE Transistor Gain hFE | 30 |
| 功率 Power | 200W |
| 帶寬 Bandwidth | 50MHz |
| 結(jié)電容 Junction Capacitance | 250pf |
詳細(xì)描述
適用于大功率音頻和一般應(yīng)用。該封裝具有兩個(gè)孔固定，以確保與散熱器良好的熱接觸。
Suitable for high power audio and general applications. The package features two hole fixing to ensure good thermal contact with the heat sink.
規(guī)格書和資料
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