HTR-4立式4寸快速退火爐
HTR-4立式4寸快速退火爐（芯片熱處理設(shè)備）廣泛應(yīng)用在IC晶圓、LED晶圓、MEMS、化合物半導(dǎo)體和功率器件等多種芯片產(chǎn)品的生產(chǎn)，和歐姆接觸快速合金、離子注入退火、氧化物生長(zhǎng)、消除應(yīng)力和致密化等工藝當(dāng)中，通過(guò)快速熱處理以改善晶體結(jié)構(gòu)和光電性能，技術(shù)指標(biāo)高、工藝復(fù)雜、專(zhuān)用性強(qiáng)。
主要應(yīng)用領(lǐng)域：
1.快速熱處理(RTP)，快速退火(RTA)，快速熱氧化(RTO)，快速熱氮化(RTN)；
2.離子注入/接觸退火；
3.金屬合金；
4.熱氧化處理；
5.化合物合金（砷化鎵、氮化物等）；
6.多晶硅退火；
7.太陽(yáng)能電池片退火；
8.高溫退火；
9.高溫?cái)U(kuò)散。
產(chǎn)品特點(diǎn)：
· 可測(cè)大尺寸樣品：可測(cè)單晶片樣品的尺寸為4英寸。
· 壓力控制系統(tǒng)創(chuàng)新設(shè)計(jì)：高精度控制壓力，以滿(mǎn)足不同的工藝要求。
· 存儲(chǔ)熱處理工藝：方便工藝參數(shù)調(diào)取，提高實(shí)驗(yàn)效率，數(shù)據(jù)可查詢(xún)。
· 快速控溫與高真空：升溫速率可達(dá)150℃/s，真空度可達(dá)到10-5Pa。
· 程序設(shè)定與氣路擴(kuò)展：可實(shí)現(xiàn)不同溫度段的控制，進(jìn)行降溫段的自動(dòng)轉(zhuǎn)接，并能夠?qū)に嚥藛芜M(jìn)行保存，方便調(diào)用。采用MFC控制氣體流量，實(shí)現(xiàn)不同氣氛環(huán)境（真空、氮?dú)獾龋┫碌臒崽幚怼?/span>
· 腔體空間設(shè)計(jì)：保證大尺寸樣品的溫場(chǎng)均勻性 ≤1%。
· 全自動(dòng)智能控制：采用全自動(dòng)智能控制，包括溫度、時(shí)間、氣體流量、真空、冷卻水等均可實(shí)現(xiàn)自動(dòng)控制。
· 超高安全系數(shù)：采用爐門(mén)安全溫度開(kāi)啟保護(hù)、溫控器開(kāi)啟權(quán)限保護(hù)以及設(shè)備急停安全保護(hù)三重安全措施，保障設(shè)備使用安全。
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· 主要技術(shù)參數(shù)：
樣品尺寸 | 4英寸（直徑100mm） |
控溫范圍 | RT~1200℃ |
升溫速率（max） | 150℃/s |
高溫段降溫速率（max） | 1200℃/min |
控溫精度 | ±0.5℃ |
溫場(chǎng)均勻性 | ≤1% |
氣體流量 | 標(biāo)配1路MFC控制（氮?dú)猓┛蓴U(kuò)展至4路 |
壓力控制 | ~1bar，±100Pa |
工藝條件 | 支持真空、氧化、還原、惰性氣體等工藝氣氛，一鍵設(shè)置通過(guò)軟件控制真空及通氣時(shí)間 |
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