半導(dǎo)體制造的主要工藝是在多次重復(fù)進(jìn)行“形成薄膜"、哈默納科烘干機(jī)諧波CSF-17-100-2UH“光刻"、“刻蝕"、“擴(kuò)散"、“注入"和“拋光"等工藝，在重復(fù)進(jìn)行的工藝之間穿插“清洗、熱處理、工藝檢測(cè)"等工藝。

（1）擴(kuò)散  擴(kuò)散一般認(rèn)為是進(jìn)行高溫工藝及薄膜淀積的區(qū)域哈默納科烘干機(jī)諧波CSF-17-100-2UH。擴(kuò)散的主要設(shè)備是高溫

擴(kuò)散爐和濕法清洗設(shè)備。

（2）光刻  光刻的目的是將電路圖形轉(zhuǎn)移到覆蓋于硅片表面的光刻膠上。光刻膠是一種光敏的化學(xué)物質(zhì)，它通過(guò)深紫外線（或極紫外線）曝光來(lái)印制掩模板的圖像。涂膠和顯影設(shè)備是用來(lái)完成光刻的一系列工具的組合哈默納科烘干機(jī)諧波CSF-17-100-2UH。光刻過(guò)程包括預(yù)處理、涂膠、甩膠、烘干，然后用機(jī)械臂將涂膠的硅片送入光刻機(jī)。以步進(jìn)式光刻機(jī)為例，在進(jìn)行硅片和掩模板的對(duì)準(zhǔn)、聚焦后，步進(jìn)式光刻機(jī)先曝光硅片上的一小片面積，隨后步進(jìn)到硅片的下一區(qū)域并重復(fù)這一過(guò)程。