離子研磨儀是為SEM或TEM電鏡樣品制備設計的離子磨裝置,使用氬離子束蝕刻樣品的橫截面,避免了物理變形和結構損傷,而不需要復雜的化學過程。
此外，該離子研磨儀通過處理從幾十微米到幾毫米的大面積，簡化了樣品的橫截面分析。
離子研磨儀特點
每小時700μm的高蝕刻速率（基于Si，8kV）
能夠保存/加載經(jīng)常使用的配方
具有自動執(zhí)行功能的分步配方
使用智能樣品架輕松裝載樣品
通過室內攝像機實時觀察離子束狀態(tài)和蝕刻狀態(tài)
操作方便-直觀的GUI和簡單的觸摸屏
通過離子束自動開啟/關閉功能zui大限度地減少熱損傷
使用內置數(shù)字顯微鏡與離子束快速方便地對準樣品
帶噪音、振動、無油隔膜泵
為大面積平面蝕刻提供平面銑削功能
離子研磨儀研磨過程
離子研磨儀規(guī)格參數(shù)
離子加速電壓：2-8KV
研磨速度：700?/h (at 8kV on Si wafer)
樣品臺擺角：±35°
zui大容納樣品尺寸：16(W) × 10(D) × 9.5(H)mm
樣品運動范圍：X axis : ±1.5mm，Y axis : ±2mm
平板掩模臺傾角：40° to 80°
平面研磨的樣品尺寸：?30 × 11.4(H)mm
控制：7英寸
數(shù)字顯微鏡放大倍率：5X，10x,20x,40x
氣體要求：氬氣（99.999%）
氣壓：0.1MPa
氣流控制：質量流控制
尺寸：607(W) × 472(D) × 277.5(430.5)(H) mm
重量：36kg
離子研磨儀研磨結果
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