SiLi探測(cè)器可用于所有應(yīng)用，也可用于特殊的多元件設(shè)計(jì)。
低能量響應(yīng)
LN2探測(cè)器提供優(yōu)異的輕元素X射線響應(yīng)。 低能x射線在硅中不會(huì)滲透很遠(yuǎn)，因此大多數(shù)事件發(fā)生得非常接近晶體的前接觸，其中電荷的分?jǐn)?shù)容易損失。 這可能導(dǎo)致峰值變寬，拖尾甚至能量轉(zhuǎn)換。 ILN2探測(cè)器特殊前接觸技術(shù)對(duì)于最小化這些影響至關(guān)重要，從而獲得了的光譜性能，直到鈹K X射線。
最終，在光譜低能量端的X射線檢測(cè)器的效率取決于入口窗口的選擇。 IXRF提供全面的檢測(cè)器窗口，以適應(yīng)所有應(yīng)用。
高能量響應(yīng)
諸如X射線熒光（XRF）的應(yīng)用通常在寬范圍的能量下需要良好的光譜響應(yīng)。 IXRF系統(tǒng)的Si（Li）晶體可根據(jù)應(yīng)用使用不同的有源厚度。 在更高的X射線能量下，更深的晶體更有效。 IXRF的Si（Li）晶體即使在高能量下也保持了優(yōu)異的背景峰值和低尾部性能。
| SiLi探測(cè)器的典型規(guī)格 | ||||
| 有效面積（mm2） | 10 | 30 | 50 | 80 |
| 分辨率[MnKa]（eV） | 127 | 133 | 139 | 148 |
| 峰值：背景 | 20000：1 | 20000：1 | 15000：1 | 10000：1 |
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