這款硅漂移探測器(SDD,SiliconDriftDetector)專業(yè)為XRF光譜儀和SEM掃描電鏡EDS能譜儀探測器應用而設計,提供窗口材料的選擇，從鈹（8m）到薄型聚合物（用于輕型X射線透射）,并提供10mm至60mm的傳感器有源區(qū)域.此外,所有或我們的SEMSDD版本都是無振動的
這款
硅漂移探測器(SDD,
Silicon Drift Detector)專業(yè)為XRF光譜儀和SEM掃描電鏡
EDS能譜儀探測器應用而設計,提供窗口材料的選擇，從鈹（8μm）到薄型聚合物（用于輕型X射線透射）,并提供10mm²至60mm²的傳感器有源區(qū)域. 此外,所有或我們的SEM SDD版本都是無振動的。
硅漂移探測器在與創(chuàng)新的基于以太網(wǎng)的數(shù)字脈沖處理器相結合時得到優(yōu)化。 具體配置給每個客戶，SDD硅漂移探測器在廣泛的輸入計數(shù)率下提供和穩(wěn)定的性能，以產(chǎn)生快速X射線圖。
硅漂移探測器規(guī)格
| SDD探測器典型特征 |
| 傳感器區(qū)域 | 窗口選項 | 分辨率eV（Mn K / C） |
| 10mm2 | 光元件（AP3.3）或8μmBe | ≤123-133 |
| 30mm2 | 光元件（AP3.3）或8μmBe | ≤126-133 |
| 60mm2 | 光元件（AP3.3）或8μmBe | ≤126-133 |
| 100mm2 | 光元件（AP3.3）或8μmBe | ≤128-133 |
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