ALD 探頭

滿足 ALD 應(yīng)用的Z佳精度、運(yùn)行時間以及極低的維護(hù)要求

INFICON ALD 探頭為原子狀態(tài)膜層沉積 (ALD) 提供了具石英晶體微天平 (QCM) 測量水準(zhǔn)的可靠性、精度和重復(fù)性。ALD 探頭可承受高達(dá) 450 ℃ 的高溫，其設(shè)計(jì)允許探頭在嚴(yán)苛的 ALD 應(yīng)用環(huán)境中運(yùn)行。裸露的晶體電極接地，以有效地消除任何潛在的電氣干擾問題。

專為 ALD 設(shè)計(jì)

INFICON ALD 探頭的性之一便是利用惰性氣體（通常為氮?dú)猓┐祾呔趁婧吞筋^腔體。這可防止反應(yīng)室的氣體進(jìn)入探頭，并確保晶片背面和電氣觸點(diǎn)無沉積材料。這種技術(shù)可在不適合使用標(biāo)準(zhǔn) QCM 的系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)現(xiàn)場測量。

饋入件和饋入件連接

INFICON ALD 探頭可采用自定義焊接長度，也可采用長度可調(diào)的壓縮接頭而無需銅焊或焊接。所有配置都使用 2 ? 英寸(CF40) ConFlat® 法蘭饋入件。

高溫晶片實(shí)現(xiàn)更準(zhǔn)確的測量

與 INFICON 的新型高溫石英晶片結(jié)合使用時，INFICON ALD 探頭可在高溫應(yīng)用中達(dá)到Z佳測量精度和較低的頻率噪聲。這些高溫晶片針對 120、240 和 285 ℃ 應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化，因此您總能獲得適合自己應(yīng)用的正確晶片。也可提供針對其他溫度優(yōu)化過的晶片。請根據(jù)自己的需求聯(lián)系 INFICON。

處

• 與大多數(shù) ALD 工藝溫度兼容

• 顯著減少維護(hù)工作

• Z大化系統(tǒng)運(yùn)行時間

• Z大化測量精度

• 在高工藝溫度下可獲得低噪聲的穩(wěn)定讀數(shù)

功能

• 工作溫度可達(dá) 450 ℃

• 氣體吹掃管路可防止晶體背片出現(xiàn)沉積材料

• 焊接式 Conflat 法蘭 (CF40) 選件

• O 形密封圈壓縮接頭選件

• 提供高溫晶片

典型應(yīng)用

• 原子層沉積 (ALD)

零件號

附件

耗材

備件