產(chǎn)品介紹
封裝InGaAs光電二極管（PD），針對高輸入光功率和輸出（max）電流線性進行了優(yōu)化。該設備設計用于需要高動態(tài)范圍、低噪聲系數(shù)和高RF增益的光纖鏈路上的RF。內(nèi)部部件采用焊接和激光焊接，確保在環(huán)境溫度變化的情況下實現(xiàn)更大的可靠性和性能穩(wěn)定性。為了確保更大的射頻輸出平面度，光電二極管具有50歐姆的片上終端和直流耦合輸出。
性能特點
- 高響應度
- 高的光功率處
- 高線性
- 50?片上阻抗匹配
- 封裝內(nèi)去耦電容器
- 輸出端無需偏置T
- 激光焊接組件
- 密封
- XLMD MSA封裝兼容
選型指南
技術(shù)參數(shù)
產(chǎn)地：美國
光電二極管電壓：-0.1...8 V
光學輸出功率：max.80 mW
輸出功率損壞閾值：275 mW（5.5V偏置）
200 mW（7.5V偏置）
ESD輸出引腳：-250...250 V
光纖彎曲半徑：10 mm
波長范圍：1500...1580 nm
響應性：0.8...0.85 A/W
偏振相關(guān)靈敏度（PDS）：0.2...0.3 dB
射頻帶寬：min.20 dB
暗電流：20...50 nA
PD反向偏置：3...7.5 V
光學飽和功率：min.18 dBm
光回波損耗：min.-27 dB
輸出反射系數(shù)：min.-10 dB
射頻輸出端接：50Ω
工作溫度：-40...+85°C
儲存溫度：-55...+95°C
工作濕度：0...90%RH
產(chǎn)品尺寸
產(chǎn)品應用
需要高增益、高動態(tài)范圍和低噪聲系數(shù)的射頻光纖互連
惡劣的環(huán)境
產(chǎn)品參數(shù)
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