封裝InGaAs光電二極管(PD),針對(duì)高輸入光功率和輸出(max)電流線性進(jìn)行了優(yōu)化。該設(shè)備設(shè)計(jì)用于需要高動(dòng)態(tài)范圍、低噪聲系數(shù)和高RF增益的光纖鏈路上的RF。內(nèi)部部件采用焊接和激光焊接,確保在環(huán)境溫度變化的情況下實(shí)現(xiàn)更大的可靠性和性能穩(wěn)定性。為了確保更大的射頻輸出平面度,光電二極管具有50歐姆的片上終端和直流耦合輸出。
- 高響應(yīng)度
- 高的光功率處
- 高線性
- 50?片上阻抗匹配
- 封裝內(nèi)去耦電容器
- 輸出端無需偏置T
- 激光焊接組件
- 密封
- XLMD MSA封裝兼容
產(chǎn)地:美國(guó)
光電二極管電壓:-0.1...8 V
光學(xué)輸出功率:max.80 mW
輸出功率損壞閾值:275 mW(5.5V偏置)
200 mW(7.5V偏置)
ESD輸出引腳:-250...250 V
光纖彎曲半徑:10 mm
波長(zhǎng)范圍:1500...1580 nm
響應(yīng)性:0.8...0.85 A/W
偏振相關(guān)靈敏度(PDS):0.2...0.3 dB
射頻帶寬:min.20 dB
暗電流:20...50 nA
PD反向偏置:3...7.5 V
光學(xué)飽和功率:min.18 dBm
光回波損耗:min.-27 dB
輸出反射系數(shù):min.-10 dB
射頻輸出端接:50Ω
工作溫度:-40...+85°C
儲(chǔ)存溫度:-55...+95°C
工作濕度:0...90%RH
需要高增益、高動(dòng)態(tài)范圍和低噪聲系數(shù)的射頻光纖互連
惡劣的環(huán)境
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