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E2V芯片DDR4

產(chǎn)品二維碼
參  考  價:面議
具體成交價以合同協(xié)議為準
  • 產(chǎn)品型號:DDR4
  • 品牌:
  • 產(chǎn)品類別:其它攝編錄設備
  • 所在地:天津市
  • 信息完整度:
  • 樣本:
  • 更新時間:2024-11-04 20:17:41
  • 瀏覽次數(shù):6
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天津瑞利光電科技有限公司

其他

  • 經(jīng)營模式:其他
  • 商鋪產(chǎn)品:919條
  • 所在地區(qū):
  • 注冊時間:2017-05-15
  • 最近登錄:2023-12-09
  • 聯(lián)系人:
產(chǎn)品簡介

產(chǎn)品介紹DDR4理想的伴侶芯片,適用于處理器、FPGA、SiP解決方案等太空級設備4/8GB耐輻射DDR4內存多芯片封裝(MCP)是一種高密度內存解決方案,針對空間嵌入式系統(tǒng)和應用

詳情介紹
產(chǎn)品介紹

DDR4理想的伴侶芯片,適用于處理器、FPGA、SiP解決方案等太空級設備…4/8GB耐輻射DDR4內存多芯片封裝(MCP)是一種高密度內存解決方案,針對空間嵌入式系統(tǒng)和應用。

這種空間級DDR4內存能夠提高性能,同時占用小的板載空間——這在高度空間限制、密集的衛(wèi)星設計中肯定是有價值的。它可以與具有DDR4控制器的處理器和FPGA結合使用,也可以嵌入Teledyne e2v Space版本的Qormino通用計算平臺以及Space版本的LS1046四核處理器(QLS1046-4GB)。與DDR4內存一起,提供了一個完整的輻射和應用數(shù)據(jù)包,使設計師能夠快速開發(fā)他們的板,風險小。

性能特點
  • 非常小的占地面積:與使用分立組件相比,節(jié)省了板空間。
  • 每立方英寸存儲容量非常高。
  • 每立方英尺存儲帶寬非常高。
  • 堅固耐用:焊接PBGA。
  • 高信號完整性。
  • 8毫米間距:無引線和有引線球選項。
  • 適用于需要Mil Temp范圍、小形狀因數(shù)、非密封操作的高可靠性和空間應用。
選型指南

技術參數(shù)

產(chǎn)地:英國

密度:4GB/8GB

總線寬度:72位(64位數(shù)據(jù)+8位ECC)

速度:高達2400 MT/s

模塊尺寸:15 mm x 20 mm x 1.92 mm

焊球數(shù)量:391

間距:0.8 mm

SEL-LET閾值:>60.88 MeV.cm²/mg

TID公差:100 krad(Si)

質子:可獲得高達190MeV的數(shù)據(jù)

可編程CAS延遲:13,15,16,17,19

復位:異步

兼容封裝:SnPb和RoHS

重量:1.2 g+/-0.1 g

產(chǎn)品參數(shù)
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