分立器件動態(tài)參數(shù)測量系統(tǒng) 返回列表頁

分立器件動態(tài)參數(shù)測量系統(tǒng)用途

　　本測試系統(tǒng)不僅滿足大功率VDMOS的GFS(跨導)測試、IGBT功率參數(shù)的測試，還涵蓋中小功率半導體器件的測試，適用于半導體器件生產(chǎn)廠家進行圓片中測或封裝成測，各類整機廠家、科研院所的質(zhì)量檢測部門進行入廠檢驗、可靠性分析測試

　　測試原理符合相應(yīng)的標準、軍用標準。

分立器件動態(tài)參數(shù)測量系統(tǒng)特點

　　◆ PC機為系統(tǒng)的主控機

　　◆ 菜單式測試程序編輯軟件操作簡便

　　◆ 預(yù)先連接測試自動識別NPN/PNP

　　◆ 0～±2000V程控高壓源(可擴展到±3000V)

　　◆ 高達±500A程控高流源(可擴展到±1000A)

　　◆ ±40V/±40A(可擴展到±80V、±50A)的可編程電壓電流源通過測試系統(tǒng)*的硬件閉環(huán)測試方法實現(xiàn)功率VDMOS的GFS跨導的測試

　　◆ 測試漏流zui小分辨率達6.1pA

　　◆ 四線開爾文連接保證加載測量的準確

　　◆ 通過IEEE488接口連接校準數(shù)字表傳遞 計量標準對系統(tǒng)進行校驗

　　◆ Prober接口、Handler接口可選(16Bin)

測試對象

　　二極管： BVR、IR、VF、VZ、RZ

　　三極管： BVCBO、BVCEO、BVCES、BVCER、BVEBO、HFE、ICBO、ICBS、ICEO、 ICES、ICER、IEBO、VBEF、VBCF、VBESAT、VCESAT

　　可控硅： BVGKO、IAKF、IAKR、IGKO、IGT、

　　IH、IL、VGT、VON

　　場效應(yīng)管： BVDSO、BVDSS、BVDSR、BVDGO、BVGDS、BVGSO、BVGSS、GFS、IDSO、IDSS、IDSR、IG、IGDO、IGSO、IGSS、RDS(on)、VDS(on)、VGS、VGS(th)、VP

　　IGBT： BVCES、BVCGR、BVGES、ICES、IGES、VCESAT、VGETH、VGS(off)

　　達林頓矩陣：ICEX、 IIN(ON)、 IIN(Off)、 VIN(on)、 IR、VCESAT、BVR、HFE、ICEO

　　單結(jié)晶體管：Iv、Vv、IP、VP、VEB1、ETA、RBB、IEB1O、IB2

　　光敏二、三極管：ID、IL、VOC、 ISC、BV、BVCE

　　光 耦： CTR、BVECO、BVCBO、BVCEO、ICBO、ICEO、HFE、VBESAT、VCESAT、IR、IAKF、IAKR