CMP的主要工藝參數(shù)有：拋光時間、磨頭向下壓力、轉(zhuǎn)盤速度、哈默納科精密磨料諧波LA-30B-10-F-L 磨頭速度、磨料化學(xué)成分、磨料流速、拋光墊修整、硅片/磨料溫度、硅片背壓。

CMP工作過程的一個重要工藝步驟是終點檢測哈默納科精密磨料諧波LA-30B-10-F-L ，通常使用兩種方法，一是電機電流終點檢測，在拋光時硅片上不同材料的摩擦特性不一致，那么磨頭電機感受到的阻力會有不同變化，電機電流也會相應(yīng)發(fā)生變化。通過檢測電機電流變化判斷拋光過程是否進入不同材料層，從而判斷是否到達拋光終點。二是光學(xué)終點檢測，哈默納科精密磨料諧波LA-30B-10-F-L 該技術(shù)是基于光的反射系數(shù)，在反射光譜學(xué)中，光從膜層上反射的不同角度與膜層材料和厚度有關(guān)。