CMP的主要工藝參數(shù)有：拋光時(shí)間、磨頭向下壓力、轉(zhuǎn)盤速度、哈默納科精密磨料諧波LA-30B-10-F-L 磨頭速度、磨料化學(xué)成分、磨料流速、拋光墊修整、硅片/磨料溫度、硅片背壓。

CMP工作過(guò)程的一個(gè)重要工藝步驟是終點(diǎn)檢測(cè)哈默納科精密磨料諧波LA-30B-10-F-L ，通常使用兩種方法，一是電機(jī)電流終點(diǎn)檢測(cè)，在拋光時(shí)硅片上不同材料的摩擦特性不一致，那么磨頭電機(jī)感受到的阻力會(huì)有不同變化，電機(jī)電流也會(huì)相應(yīng)發(fā)生變化。通過(guò)檢測(cè)電機(jī)電流變化判斷拋光過(guò)程是否進(jìn)入不同材料層，從而判斷是否到達(dá)拋光終點(diǎn)。二是光學(xué)終點(diǎn)檢測(cè)，哈默納科精密磨料諧波LA-30B-10-F-L 該技術(shù)是基于光的反射系數(shù)，在反射光譜學(xué)中，光從膜層上反射的不同角度與膜層材料和厚度有關(guān)。