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高純半導(dǎo)體單晶材料

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產(chǎn)品類別：其它物性測(cè)試儀器
所在地：上海

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更新時(shí)間：2024-11-12 09:29:49
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高純半導(dǎo)體單晶材料是美國(guó)進(jìn)口高純度半導(dǎo)體單晶材料,純度高達(dá)99.9999%，廣泛用于半導(dǎo)體,微電子,激光等領(lǐng)域

詳情介紹

高純半導(dǎo)體單晶材料是美國(guó)進(jìn)口高純度半導(dǎo)體單晶材料,純度高達(dá)99.9999%，廣泛用于半導(dǎo)體,微電子,激光等領(lǐng)域。高純半導(dǎo)體單晶材料包括各種摻雜的GaAs,Gap, GaSb,Ge, InAs, InP, InSb, Si, CdS, CdSe, CdTe, ZnS,ZnSe, ZnTe等。
高純半導(dǎo)體單晶材料規(guī)格參數(shù)

晶體名稱	摻雜	單晶類型	載流子濃度 [cm^-3]	EPD [cm^-2]	晶體生長(zhǎng)技術(shù) & 晶體棒直徑	PSC標(biāo)準(zhǔn)晶圓
GaAs	None Si Cr Te Zn	SI N SI N P	/ 10¹⁷ ... 10¹⁹ / 10¹⁷ ... 10¹⁹ 10¹⁷ ... 10¹⁹	<1x10⁵	CZ, LEC & HB ø3"	2" dia x 0.5mm 3" dia x 0.5mm 4" dia x 0.6mm 10 x 10 x 05mm
GaP	S Te Zn Undoped	N N P N	10¹⁷ ... 3x10¹⁸ 10¹⁷ ... 3x10¹⁸ 10¹⁷ ... 5x10¹⁸ 2-6×10¹⁶	<10⁵	CZ & LEC ø50mm	2" dia x 0.5mm 10 x 10 x 0.5mm3
GaSb	None Zn Te Hi-R Hi-R	P P+ N P N	2x10¹⁶ 1-5x10¹⁸ 2-6x10¹⁷ 1-5x10¹⁶ 1-5x10¹⁶	<10³	CZ & LEC ø3"	2" dia x 0.5mm 3" dia x 0.45mm 10 x 10 x 0.5mm3
Ge	None Sb	P N		<5x10³	CZ/Br ø1" - ø4"	1" dia x 0.3mm 2" dia x 0.4mm 4" dia x 0.5mm
InAs	None	N	1-2x10¹⁶	<5x10⁴	LEC ø30mm	2" dia x 0.5mm 10x 10 x 0.5mm3 5x5x0.5mm3
InP	None Sn S Fe Zn	N N N SI P	1-2x10¹⁶ 1-3x10¹⁸ 1-4x10¹⁸ / 0.6-4x10¹⁸	<5x10⁴	LEC ø2"	2" dia x 0.5mm 10 x 10 x 0.5mm3
InSb	none Te Ge	N N P	1~5 x10E¹⁴ 1~2 x10E¹⁵ 1~2x10E¹⁵	<2x10²		2" dia x 0.5mm 10 x 10 x 0.5mm3
Si	None B As P Sb	P N N N			CZ/FZ ø2" - ø6"	1" dia x 0.3mm 2" dia x 0.4mm 4" dia x 0.5mm 6" dia x 0.6mm
CdS	None				Markov ø2"	5 x 5 x 1mm3 10 x 10 x 0.5mm3 10 x 10 x 1mm3
CdSe	None				Markov ø2"	10 x 10 x 1mm3
CdTe	None				Br	5 x 5 x 1mm3 10 x 10 x 0.5mm3 10 x 10 x 1mm3 15 x 15 x 0.5mm3
ZnS	None				Markov ø30mm	5x 5x 0.5mm3 5 x 5 x 1mm3 10 x 10 x 0.5mm3 10 x 10 x 1mm3
ZnSe	None				Markov ø30mm	5x5x0.5mm3 10 x 10 x 0.5mm3 10x10x1mm3 10 x 5 x 1mm3 2" dia x 1mm 4" dia x 1mm
ZnTe	None				Markov ø30mm	10x 10 x 0.5mm3 10 x 10 x 1mm3

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