TopGaN 正在制造發(fā)射光譜范圍從 400nm 到 461nm 的激光二極管,精度為 +/-2nm。也可根據(jù)需要提供 +/-1nm 的精度。這些器件采用 5.6 mm (TO-56) 封裝的可見光和紫外激光二極管,氮化藍(lán)紫色激光二極管的工作電流密度相對較高,為 5-10 kA/cm2。這些二極管的衰減主要是通過其閾值電流的增加而發(fā)生的。
光學(xué)輸出功率:50mW(Tcase= 20°C)
峰值波長:418 +/- 2 nm @RT
用于 Cw 和脈沖操作的輻射源
單橫向模式半導(dǎo)體激光器
產(chǎn)地:波蘭
允許反向電流:1 uA
PD 反向電壓:5 V
存儲溫度:- 10 至 85 °C
工作外殼溫度:0 至 60 °C
光輸出功率:50 mW
峰值波長:418 +/-2 nm
閾值電流:30 至 60 mA
工作電流:90 至 130 mA
溫度波長偏移:0.05 nm/deg
光束發(fā)散 - 快軸:32 °
光束發(fā)散 - 慢軸:7 °
量子技術(shù)和傳感應(yīng)用
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