通過(guò)優(yōu)化半導(dǎo)體芯片結(jié)構(gòu)和光學(xué)參數(shù),DILAS T-Bar架構(gòu)使用標(biāo)準(zhǔn)微光學(xué)快軸準(zhǔn)直器(FAC)和慢軸準(zhǔn)直器,所有這些都采用自動(dòng)化工藝組裝,提供高光束質(zhì)量和高功率。T-Bar是一種單片多發(fā)射器源,允許在每個(gè)制造步驟中處理多個(gè)發(fā)射器,以降低復(fù)雜性并簡(jiǎn)化制造。其結(jié)果是提高了再現(xiàn)性、光束質(zhì)量和光纖耦合效率。
- 耦合效率高
- 高亮度
- 密封外殼
- 200µm NA 0.22的標(biāo)準(zhǔn)光纖耦合器(HP-SMA)
產(chǎn)地:美國(guó)
操作模式:脈沖
技術(shù):固態(tài)
光譜:可調(diào)諧
波長(zhǎng)(FWHM):806,7nm
線條寬度:1.8nm
溫度:25.0℃
電流:32.7 A
中心波長(zhǎng)容差:±3 nm
輸出功率:30 W
邊坡效率:>0.80 W/A
波長(zhǎng)溫度系數(shù):~0.27nm/°C
數(shù)值孔徑:0.22 NA
纖維芯直徑:200 µm
帶獨(dú)立光纖頭的光纖連接器:HP-SMA 905
功率轉(zhuǎn)換效率:> 38%
閾值電流(Im):< 9 A
工作電流(Iop):< 50 A
運(yùn)算電壓(Vop):<1.9 V
工作溫度:+20至+30°C
儲(chǔ)存溫度:0至+55°C
推薦散熱器容量:>70 W
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