此款CVD生長系統(tǒng)適用于CVD工藝，如碳化硅鍍膜、陶瓷基片導(dǎo)電率測試、ZnO納米結(jié)構(gòu)的可控生長、陶瓷電容（MLCC）氣氛燒結(jié)等實驗。
電爐組成：
此款CVD系統(tǒng)配置：
1、200度開啟式真空管式爐（可選配單溫區(qū)、雙溫區(qū)）。
2、多路質(zhì)量流量控制系統(tǒng)
3、真空系統(tǒng)（可選配中真空或高真空）
電爐特點：
1 控制電路選用模糊PID程控技術(shù)，該技術(shù)控溫精度高，熱慣性小，溫度不過沖，性能可靠，操作簡單。
2 氣路快速連接法蘭結(jié)構(gòu)采用本公司的知識產(chǎn)權(quán)設(shè)計,提高操作便捷性。
3 中真空系統(tǒng)具有真空度上下限自動控制功能，高真空系統(tǒng)采用高壓強，耐沖擊分子泵
防止意外漏氣造成分子泵損壞，延長系統(tǒng)使用壽命。
系統(tǒng)名稱 | 1200℃單/雙溫區(qū)CVD系統(tǒng) | |
系統(tǒng)型號 | CVD-12II-3Z/G | CVD-12II6-3Z/G |
極限溫度 | 1200℃ | |
加熱區(qū)長度 | 420mm | 600mm |
恒溫區(qū)長度 | 280mm | 390mm |
溫區(qū) | 雙溫區(qū) | 雙溫區(qū) |
石英管管徑 | Phi;50/Phi;60/Phi;80mm | Phi;80/Phi;100mm |
額定功率 | 3、2Kw | 4、8Kw |
額定電壓 | 220V | |
溫度控制 | 國產(chǎn)程序控溫系統(tǒng)50段程序控溫； | |
控制精度 | ±1℃ | |
爐管極限工作溫度 | ＜1200℃ | |
氣路法蘭 | 密封法蘭與管件連接的地方采用多環(huán)密封技術(shù)，在密封法蘭與管外壁間形成了密封，在管件外徑誤差較大的情況下密封仍然有效，該密封法蘭的安裝只需在使用設(shè)備的時候安裝 | |
氣體控制方式 | 質(zhì)量流量計 | |
氣路數(shù)量 | 3路（可根據(jù)具體需要選配氣路數(shù)量） | |
流量范圍 | 0-500sccm(標(biāo)準(zhǔn)毫升/分，可選配）氮氣標(biāo)定 | |
精度 | ±1%F.S | |
響應(yīng)時間 | le;4sec | |
工作溫度 | 5-45℃ | |
工作壓力 | 進氣壓力0.05-0.3Mpa(表壓力） | |
系統(tǒng)連接方式 | 采用KF快速連接波紋管、高真空手動擋板閥及數(shù)顯真空測量儀 | |
規(guī)格 | 高真空 | |
系統(tǒng)真空范圍 | 1x10-3Pa-1x10-1Pa | |
真空泵 | 真空分子泵理論極限真空度5x10-6Pa抽氣速度1200L/S額定電壓220V 功率2KW | 真空分子泵理論極限真空度5x10-6Pa抽氣速度1600L/S額定電壓220V 功率2KW |
爐體外形尺寸 | 340times;580times;555mm | 480times;770times;605mm |
系統(tǒng)外形尺寸 | 530x1440x750mm(不含高真空) | |
系統(tǒng)總重量 | 330kg | |
所有評論僅代表網(wǎng)友意見，與本站立場無關(guān)。